产品分类PRODUCT CLASSIFICATION
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产品介绍
| 品牌 | OTSUKA/日本大冢 | 应用领域 | 综合 |
|---|
产品特色
● 非接触、非破坏式，量测头可自由集成在客户系统内
● 初学者也能轻松解析建模的初学者解析模式
● 高精度、高再现性量测紫外到近红外波段内的绝对反射率，可分析多层薄膜厚度、光学常数（n：折射率、k：消光系数）
● 单点对焦加量测在1秒内完成
● 显微分光下广范围的光学系统（紫外 ~ 近红外）
● 独立测试头对应各种inline定制化需求
● 最小对应spot约3μm
● 可针对超薄膜解析nk
量测项目
●绝对反射率分析
●多层膜解析（50层）
●光学常数（n：折射率、k：消光系数）
膜或者玻璃等透明基板样品，受基板内部反射的影响，无法正确测量。OPTM系列使用物镜，可以物理去除内部反射，即使是透明基板也可以实现高精度测量。此外，对具有光学异向性的膜或SiC等样品，也可不受其影响，单独测量上面的膜。
（zhuanli编号 第 5172203 号）
应用范围
● 半导体、复合半导体：硅半导体、碳化硅半导体、砷化镓半导体、光刻胶、介电常数材料
● FPD：LCD、TFT、OLED（有机EL）
● 资料储存：DVD、磁头薄膜、磁性材料
● 光学材料：滤光片、抗反射膜
● 平面显示器：液晶显示器、薄膜晶体管、OLED
● 薄膜：AR膜、HC膜、PET膜等
● 其它：建筑用材料、胶水、DLC等
规格式样
（自动XY平台型）
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波长范围 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范围 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 测定时间 | 1秒 / 1点以内 | ||
| 光径大小 | 10μm (最小约3μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源规格 | 氘灯+卤素灯 | 卤素灯 | |
| 尺寸 | 556(W) X 566(D) X 618(H) mm (自动XY平台型的主体部分) | ||
| 重量 | 66kg（自动XY平台型的主体部分） | ||
OPTM 选型
自动XY平台型
固定框架型
嵌入头型
波长与膜厚范围
选型表
| 波长范围 | 自动XY平台型 | 固定框架型 | 嵌入头型 |
| 230 ~ 800nm | OPTM-A1 | OPTM-F1 | OPTM-H1 |
| 360 ~ 1,100nm | OPTM-A2 | OPTM-F2 | OPTM-H2 |
| 900 ~ 1,600nm | OPTM-A3 | OPTM-F3 | OPTM-H3 |
物镜
| 类型 | 倍率 | 测量光斑 | 视野范围 |
| 反射对物型 | 10x lens | Φ 20μm | Φ 800μm |
| 20x lens | Φ 10μm | Φ 400μm | |
| 40x lens | Φ 5μm | Φ 200μm | |
| 可视折射型 | 5x lens | Φ 40μm | Φ 1,600μm |
量测案例
半导体行业 – SiO2、SiN膜厚测定案例
半导体工艺中，SiO2用作绝缘膜，而SiN用作比SiO2更高介电常数的绝缘膜，或是用作CMP去除SiO2时的阻断?；ぃ骃iN也被去除。绝缘膜的性能像这样被使用时，为了精确的工艺控制，有必要测量这些膜厚度。
FPD行业 – 彩色光阻膜厚测定
彩色滤光片薄膜的制程中，一般将彩色光阻涂布在整个玻璃表面，通过光刻进行曝光显影留下需要的图案。RGB三色依次完成此工序。
彩色光阻的厚度不恒定是导致RGB图案变形、彩色滤光片颜色偏差的原因，因此对彩色光阻的膜厚管理非常重要。
FPD行业 – 用倾斜模式解析ITO构造
ITO膜是液晶面板等使用的透明电极材料，制膜后需经过退火处理(热处理)提升导电性和透光性。此时，氧状态和结晶性发生变化，使得膜厚产生阶段性的倾斜变化。在光学上不能看作是构成均一的单层膜。
对这样的ITO用倾斜模式，由上部界面和下部界面的nk值，对倾斜程度进行测量。
半导体行业 – 使用界面系数测定粗糙基板上的膜厚
如果基板表面非镜面且粗糙度大，则由于散射，测量光降低且测量的反射率低于实际值。
通过使用界面系数，因为考虑到了基板表面上的反射率的降低，可以测量出基板上薄膜的膜厚值。
DLC涂层行业 – 各种用途DLC涂层厚度的测量
DLC(类金刚石)涂层由于其高硬度、低摩擦系数、耐磨性、电绝缘性、高阻隔性、表面改性以及与其他材料的亲和性等特征，被广泛用于各种用途。
采用显微光学系统，可以测量有形状的样品。此外，监视器一边确认检查测量位置一边进行测量的方式，可以用于分析异常原因。
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